隨著電子產(chǎn)品的越來(lái)越智能化，為了能夠更快速的處理身份認(rèn)證、通信協(xié)議、消息生成和數(shù)據(jù)累計(jì)等任務(wù)，應(yīng)用程序的底層代碼也是越寫越長(zhǎng)，從以前的幾千字節(jié)發(fā)展到現(xiàn)如今的幾兆字節(jié)。因此目前的存儲(chǔ)手段已無(wú)法滿足新一代技術(shù)對(duì)存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)性能的要求。

現(xiàn)在的閃存技術(shù)信息的存儲(chǔ)是基于電荷密度，丟失幾個(gè)電子會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的可靠性問(wèn)題，一旦芯片尺寸小于25nm，閃存技術(shù)的耐久性、維持性和可靠性就會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)峻的不確定性。每當(dāng)有新的單片機(jī)和晶片系統(tǒng)需要被設(shè)計(jì)時(shí)，設(shè)計(jì)人員在做結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)務(wù)必要考慮到存儲(chǔ)器容量、架構(gòu)和集成等相關(guān)問(wèn)題。但這種工作并不是一勞永逸的，當(dāng)另一批系統(tǒng)架構(gòu)師還是需要重新研究嵌入式存儲(chǔ)模塊與邏輯處理單元集成的方式。

根據(jù)分析公司W(wǎng)eb-FeetResearch的預(yù)測(cè)，到2018年，消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器市場(chǎng)將達(dá)到28.8億美元，巨大的市場(chǎng)需求已經(jīng)迫使這個(gè)問(wèn)題必須快速得到解決了。

改良性的解決方案是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)使用高端的存儲(chǔ)控制芯片來(lái)管理復(fù)雜的架構(gòu)和算法，例如，清華紫光就已經(jīng)投入了數(shù)百億美元到NAND、DRAM等存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)之中，估計(jì)在明年將會(huì)推出國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存。但無(wú)論是NAND還是DRAM都是當(dāng)前的技術(shù)水平，而且在存儲(chǔ)領(lǐng)域，中國(guó)落后了世界先進(jìn)水平20多年，所以要想實(shí)現(xiàn)完美逆轉(zhuǎn)，還是要寄托于下一代存儲(chǔ)技術(shù)上。

當(dāng)前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了Intel、鎂光基于PCM相變存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)的3DXPoint芯片之外，最有名的就是ReRAM芯片了。成立于2010年的Crossbar是開(kāi)發(fā)ReRAM最具代表性的企業(yè)，實(shí)力不容小覷，Crossbar的首席科學(xué)家和聯(lián)合創(chuàng)始人盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士在ReRAM領(lǐng)域有十二年的研究經(jīng)驗(yàn)。這家公司的任何舉動(dòng)都會(huì)引起業(yè)界的廣泛關(guān)注。為了進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)，在2016年3月，Crossbar與中芯國(guó)際達(dá)成合作，基于中芯國(guó)際的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片，而如今總算是成為現(xiàn)實(shí)。

 

據(jù)悉，ReRAM芯片比上一代的NAND芯片性能更強(qiáng)大，密度比DRAM內(nèi)存高40倍，寫入速度快1000倍，讀取速度快100倍，耐久度高1000倍，200平方毫米左右的單芯片即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)存儲(chǔ)，還具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。


本文關(guān)鍵詞：ReRAM  存儲(chǔ)芯片

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