Everspin xSPI STT‐MRAM在代碼和數(shù)據(jù)整合的應(yīng)用場(chǎng)景中，應(yīng)用程序代碼和少量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在同一個(gè)內(nèi)存芯片中。這有時(shí)需要滿(mǎn)足嚴(yán)格的成本和空間(如物理板空間)要求。代碼在啟動(dòng)時(shí)加載到RAM中。文件系統(tǒng)可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，也可能用于存儲(chǔ)固件，但經(jīng)常會(huì)使用原始訪問(wèn)。由于NORflash成本低、尺寸小，因此通常用于此目的。
 
    對(duì)于只讀或以讀取為中心的工作負(fù)載，這種設(shè)計(jì)非常合適。但是，由于寫(xiě)入性能差和寫(xiě)入能耗高，NOR閃存通常不適合中等寫(xiě)入工作負(fù)載。NAND閃存也可用于提高寫(xiě)入性能，但由于壞塊和軟錯(cuò)誤管理，它會(huì)帶來(lái)額外的復(fù)雜性。另一個(gè)問(wèn)題是耐力。雖然大多數(shù)應(yīng)用永遠(yuǎn)不會(huì)接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期，但保持力會(huì)隨著單元磨損而顯著下降。根據(jù)未磨損設(shè)備的典型10年規(guī)格，10K循環(huán)后，保留時(shí)間可能會(huì)降至僅1年。如果固件映像以磨損塊結(jié)束(如果使用了適當(dāng)?shù)哪p均衡，這可能會(huì)發(fā)生)，這可能會(huì)成為一個(gè)問(wèn)題。
 
    Everspin xSPI STT‐MRAM封裝8DFN，容量高達(dá)64Mb，非常適合這種特殊的使用情形。它具有極高的寫(xiě)入速度、低寫(xiě)入能耗和幾乎無(wú)限的寫(xiě)入耐久性。截至目前，NOR flash仍然比MRAM有容量?jī)?yōu)勢(shì)，但大型NOR芯片并不便宜，沒(méi)有跡象表明MRAM無(wú)法擴(kuò)大規(guī)模和成本的綜合水平。樣品聯(lián)系代理商英尚微電子。


本文關(guān)鍵詞：STT‐MRAM,MRAM

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